碳化硅功率半導體產業鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應用這幾個環節。

碳化硅單晶是碳化硅功率半導體技術和產業的基礎，質量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術發展首要解決的問題，持續增大晶圓尺寸、降低缺陷密度（微管、位錯、層錯等）是其重點發展方向。

碳化硅單晶材料主要有導通型襯底和半絕緣襯底兩種, 是第三代半導體材料技術成熟度最高的材料，目前基本被國外企業壟斷。
 

高導通型襯底材料是制造碳化硅功率半導體器件的基材。半絕緣襯底具備高電阻的同時可以承受更高的頻率，因此在5G通訊和新一代智能互聯，傳感感應器件上具備廣闊的應用空間。

國內主要碳化硅單晶襯底材料企業和研發機構已經具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產品，并已經研發出了6英寸單晶樣品，但是在晶體材料質量和產業化能力方面距離國際先進水平存在一定差距。

當前，新一輪科技革命與產業變革蓄勢待發，全球新材料產業競爭格局正在進行重大調整。未來五年，是產業結構調整、制造業轉型升級的關鍵時期。