最佳半導(dǎo)體材料

發(fā)布時間：2023-09-26 10:05:44 0

近日，《科學(xué)》雜志刊文稱，來自美國麻省理工學(xué)院、休斯敦大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的科研團(tuán)隊，發(fā)現(xiàn)了一種名為立方砷化硼的半導(dǎo)體新材料。這種材料克服了硅作為半導(dǎo)體材料的兩個限制，兼具導(dǎo)電和導(dǎo)熱優(yōu)勢，有望成為迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好半導(dǎo)體材料。

研究團(tuán)隊表示，相對于傳統(tǒng)的以硅為代表的半導(dǎo)體材料，立方砷化硼具有更高的電子遷移率和空穴遷移率（統(tǒng)稱雙極性遷移率）。雙極性遷移率決定了半導(dǎo)體材料的邏輯運(yùn)算速度，遷移率越高，運(yùn)算速度越快。同時，立方砷化硼的熱導(dǎo)率幾乎是硅的10倍，更有利于散熱。這些特性都展現(xiàn)了其作為半導(dǎo)體材料的巨大潛力。

目前，立方砷化硼還只能在實(shí)驗(yàn)室小規(guī)模生產(chǎn)和測試，長期穩(wěn)定性等其他性能還有待進(jìn)一步測試。但研究人員表示，不久的將來，這種材料將會得到開發(fā)利用，其獨(dú)特的性質(zhì)將對半導(dǎo)體材料帶來明顯改變。

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